对比图
型号 FDS4435BZ TPS1100DR IRF7416PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4435BZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.016 ohm, -10 V, -2.1 V单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSINFINEON IRF7416PBF. 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -30 V, 20 mohm, 10 V, -1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
通道数 1 1 -
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 2.5 W 0.791 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 30 V 15 V 30 V
连续漏极电流(Ids) -8.80 A 1.6A 10A
上升时间 6 ns 10 ns 49 ns
额定功率(Max) 1 W 791 mW 2.5 W
下降时间 12 ns 2 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 791mW (Ta) 2.5W (Ta)
额定电压(DC) -30.0 V - -
额定电流 -8.80 A - -
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.016 Ω - 0.02 Ω
输入电容 1.36 nF - -
栅电荷 41.0 nC - -
栅源击穿电压 ±25.0 V - -
输入电容(Ciss) 1845pF @15V(Vds) - 1700pF @25V(Vds)
额定功率 - - 2.5 W
阈值电压 - - 1 V
长度 5 mm 4.9 mm 5 mm
宽度 4 mm 3.91 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.75 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -