BSR13和MMBT6429LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSR13 MMBT6429LT1G BC849BLT1G

描述 NPN通用放大器 NPN General Purpose AmplifierON SEMICONDUCTOR  MMBT6429LT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFEON SEMICONDUCTOR  BC849BLT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 290 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 30.0 V 45.0 V 30.0 V

额定电流 500 mA 200 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.35 W 225 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 45 V 30 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 500 200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 300 - -

额定功率(Max) 350 mW 225 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

频率 - 700 MHz 100 MHz

针脚数 - 3 3

集电极最大允许电流 - 0.2A 0.1A

直流电流增益(hFE) - 500 290

耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

长度 2.92 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 1.01 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台