FQPF3N80C和FQPF3N80CYDTU

对比图

型号 FQPF3N80C FQPF3N80CYDTU 2SK2883(Q)

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF3N80C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 800 V, 4 ohm, 10 V, 5 VN沟道 800V 3ATO-220FL N-CH 800V 3A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Toshiba (东芝)

分类 中高压MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

引脚数 3 - -

额定电压(DC) 800 V 800 V -

额定电流 3.00 A 3.00 A -

漏源极电阻 4 Ω 4.80 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 39 W 39W (Tc) 75 W

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V 800 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3.00 A 3A

输入电容(Ciss) 705pF @25V(Vds) 705pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 39 W 39 W -

耗散功率(Max) 39 W 39W (Tc) -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

阈值电压 5 V - -

上升时间 43.5 ns - -

下降时间 32 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 10.16 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 9.19 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete -

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -