对比图
型号 FDMC7672 FDMC7692 FDMC7672S
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 MLP-8 PowerWDFN-8 Power-33-8
漏源极电阻 0.0043 Ω 0.0072 Ω 0.005 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.3 W 29 W 36 W
阈值电压 1.9 V 1.9 V 1.6 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 16.9A 13.3A 14.8A
上升时间 6 ns 4 ns 4 ns
输入电容(Ciss) 3890pF @15V(Vds) 1680pF @15V(Vds) 2520pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.3 W 2.3 W 2.3 W
下降时间 5 ns 3 ns 3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.3W (Ta), 33W (Tc) 2.3W (Ta), 29W (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc)
长度 3.3 mm 3.3 mm 3.3 mm
宽度 3.3 mm 3.3 mm 3.3 mm
高度 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm
封装 MLP-8 PowerWDFN-8 Power-33-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15