SSD2025TF和SSD2025TF_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SSD2025TF SSD2025TF_NL STS4DNF60L

描述 2个N沟道 60V 3.3ASOIC N-CH 60V 3.3ASTMICROELECTRONICS  STS4DNF60L  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

引脚数 8 - 8

极性 N-Channel N-CH N-Channel, Dual N-Channel

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 3.30 A 3.3A 4.00 A

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 3.00 A - 4.00 A

漏源极电阻 100 mΩ - 0.045 Ω

耗散功率 2 W - 2.5 W

漏源击穿电压 60.0 V - 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±15.0 V

额定功率(Max) 2 W - 2 W

耗散功率(Max) 2 W - 2000 mW

通道数 - - 2

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 1.7 V

上升时间 - - 28 ns

输入电容(Ciss) - - 1030pF @25V(Vds)

下降时间 - - 10 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.25 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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