对比图
型号 FDN308P NTR1P02LT1G NTR1P02LT3G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN308P 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -20 V, 125 mohm, -4.5 V, -1 VON SEMICONDUCTOR NTR1P02LT1G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1.3A SOT-23P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -
额定电流 -1.50 A -1.30 A -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.125 Ω 0.14 Ω 0.14 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 500 mW 400 mW 400 mW
输入电容 341 pF 225 pF -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V -
连续漏极电流(Ids) -1.50 A 1.30 A, 1.30 mA 1.30 A, -1.30 A
上升时间 10 ns 15 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 341pF @10V(Vds) 225pF @5V(Vds) 225pF @5V(Vds)
额定功率(Max) 460 mW 400 mW 400 mW
下降时间 10 ns 20 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500mW (Ta) 400mW (Ta) 400mW (Ta)
栅电荷 3.80 nC - -
阈值电压 - - 1 V
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 2.92 mm - 3.04 mm
宽度 1.4 mm - 1.4 mm
高度 0.94 mm - 1.01 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -