对比图
型号 APT60GT60BRG HGT1N30N60A4D STGW50HF60S
描述 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules600V ，开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast DiodeTrans IGBT Chip N-CH 600V 110A 284000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Screw Through Hole
引脚数 3 4 3
封装 TO-247-3 SOT-227-4 TO-247-3
耗散功率 500000 mW 255000 mW 284000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 500 W 255 W 284 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500000 mW 255000 mW 284000 mW
额定电压(DC) 600 V 600 V -
额定电流 100 A 96.0 A -
封装 TO-247-3 SOT-227-4 TO-247-3
高度 - 9.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Rail Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99