2N6033和JAN2N6033

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6033 JAN2N6033 D45H5

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORTransistor,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Harris

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-3 TO-3 -

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 120 V -

集电极最大允许电流 - 40A -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 140000 mW -

封装 TO-3 TO-3 -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 - Non-Compliant -

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