对比图
型号 NSS60601MZ4T3G NSV60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G
描述 60 V ， 6.0 A，低VCE （ sat）的NPN晶体管 60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) NPN TransistorPNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR NSS60601MZ4T1G 单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 60 V, 100 MHz, 710 mW, 6 A, 50 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-261-4 SOT-223-4 TO-261-4
频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 2 W 2 W 710 mW
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 6A 6A 6A
最小电流放大倍数(hFE) 120 @1A, 2V 120 @1A, 2V 120 @1A, 2V
最大电流放大倍数(hFE) 150 - -
额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW
直流电流增益(hFE) 360 120 50
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2000 mW
针脚数 - 4 4
长度 6.5 mm 6.7 mm -
宽度 3.5 mm 3.7 mm -
高度 1.57 mm 1.65 mm -
封装 TO-261-4 SOT-223-4 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99