BD135和BD135-16

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD135 BD135-16

描述 NPN 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。STMICROELECTRONICS  BD135-16  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 12.5 W, 1.5 A, 40 hFE

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

频率 50 MHz 50 MHz

针脚数 3 3

极性 NPN NPN

耗散功率 1.25 W 12.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 250 -

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W

直流电流增益(hFE) 250 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW

长度 7.8 mm 7.8 mm

宽度 2.7 mm 2.7 mm

高度 10.8 mm 10.8 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR -

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