对比图
型号 SIHP7N60E-GE3 STD8NM60N-1 SIHP7N60E-E3
描述 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220ABN沟道600 V ， 0.56 Ω ， 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKMOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3
引脚数 3 3 -
通道数 - - 1
耗散功率 78 W 70 W 78 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 - 12 ns 13 ns
输入电容(Ciss) 680pF @100V(Vds) 560pF @50V(Vds) 680pF @100V(Vds)
下降时间 - 10 ns 14 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 78W (Tc) 70W (Tc) 78W (Tc)
漏源极电阻 0.5 Ω - -
极性 N-Channel N-Channel -
阈值电压 2 V - -
连续漏极电流(Ids) - 3.50 A -
封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 2.4 mm -
高度 - 6.2 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Bulk - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅