STD8NM60N-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STD8NM60N-1概述

N沟道600 V ， 0.56 Ω ， 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

通孔 N 通道 600 V 7A（Tc） 70W（Tc） I-PAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

贸泽:
MOSFET N-Channel 600V Pwr Mosfet

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

STD8NM60N-1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 3.50 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 560pF @50VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.2 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STD8NM60N-1

型号： STD8NM60N-1

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道600 V ， 0.56 Ω ， 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

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替代型号STD8NM60N-1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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