PHD34NQ10T和PHD34NQ10T,118的区别_PHD34NQ10T代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHD34NQ10T PHD34NQ10T,118 934055807118

描述 N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistorTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RPower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 DPAK TO-252-3 -

引脚数 - 3 -

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 35A - -

耗散功率 - 136 W -

上升时间 - 55 ns -

输入电容(Ciss) - 1704pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 136 W -

下降时间 - 38 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 136W (Tc) -

封装 DPAK TO-252-3 -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -