对比图
型号 IRF3808STRRPBF STB150NF55T4 STB160N75F3
描述 MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150NCSTMICROELECTRONICS STB150NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3 3
通道数 1 1 -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 300 W 330 W
阈值电压 4 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 75 V 55 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 106 A 60.0 A 60.0 A
输入电容(Ciss) 5310pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 6750pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 300 W 330 W
上升时间 - 180 ns 65 ns
下降时间 - 80 ns 15 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 330W (Tc)
额定电压(DC) - 55.0 V -
额定电流 - 120 A -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 5 mΩ -
输入电容 - 4400 pF -
漏源击穿电压 - 55 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
宽度 9.65 mm 9.35 mm 10.4 mm
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm 10.75 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -