对比图
型号 STH240N10F7-2 STH240N10F7-6
描述 N沟道 100V 180AN-沟道 100 V 0.0025 Ohm 表面贴装 STripFET™ F7 功率 Mosfet-H2PAK-6
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-7
通道数 - 1
极性 N-CH N-CH
耗散功率 300 W 300 W
阈值电压 - 2.5 V
输入电容 11550 pF 11.55 nF
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 180A 180A
上升时间 139 ns 139 ns
输入电容(Ciss) 11550pF @25V(Vds) 11550pF @25V(Vds)
下降时间 112 ns 112 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)
额定功率(Max) 300 W -
封装 TO-252-3 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free