对比图
型号 IRLML6402GTRPBF IRLML6402TRPBF IRLML6402GPBF
描述 HEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRLML6402TRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -3.7A, SOT-23SOT-23P-CH 20V 3.7A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23
引脚数 3 3 -
极性 P-Channel P-Channel P-CH
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 3.7A -3.70 A 3.7A
上升时间 48 ns 48 ns 48 ns
输入电容(Ciss) 633pF @10V(Vds) 633pF @10V(Vds) 633pF @10V(Vds)
下降时间 381 ns 381 ns 381 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1300 mW
额定功率 1.3 W 1.3 W -
通道数 1 - -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 65 mΩ 0.065 Ω -
耗散功率 1.3 W 1.3 W -
阈值电压 550 mV 550 mV -
漏源击穿电压 20 V - -
额定电压(DC) - -20.0 V -
额定电流 - -3.70 A -
产品系列 - IRLML6402 -
热阻 - 100℃/W (RθJC) -
额定功率(Max) - 1.3 W -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23
长度 3.04 mm 3.04 mm -
宽度 1.4 mm 1.4 mm -
高度 1.02 mm 1.02 mm -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -