对比图
型号 PBSS4140V PBSS4140V,115 PBSS4140VT/R
描述 低饱和电压 NPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsSOT-666 NPN 40V 1ASmall Signal Bipolar Transistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 6 6 -
封装 SOT-666 SOT-563 -
极性 NPN NPN -
耗散功率 300 mW 1200 mW -
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -
集电极最大允许电流 1A 1A -
最小电流放大倍数(hFE) 75 300 @500mA, 5V -
直流电流增益(hFE) 300 - -
工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 1.2 W 1200 mW -
最大电流放大倍数(hFE) - 300 @1mA, 5V -
额定功率(Max) - 500 mW -
长度 1.7 mm - -
宽度 1.3 mm - -
高度 0.6 mm - -
封装 SOT-666 SOT-563 -
工作温度 -65℃ ~ 125℃ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -