IPD031N03LGATMA1和STU150N3LLH6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD031N03LGATMA1 STU150N3LLH6 IRLR8743PBF

描述 DPAK N-CH 30V 90ASTMICROELECTRONICS  STU150N3LLH6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1 VINFINEON  IRLR8743PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 30 V, 3.1 mohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.0026 Ω 0.0024 Ω 0.0031 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 94 W 110 W 135 W

阈值电压 1 V 1 V 1.9 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 90A 80A 160A

上升时间 6 ns 18 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 5300pF @15V(Vds) 4040pF @25V(Vds) 4880pF @15V(Vds)

下降时间 5 ns 46 ns 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 94W (Tc) 110W (Tc) 135W (Tc)

额定功率 94 W - 135 W

额定功率(Max) 94 W - -

输入电容 - - 4880pF @15V

长度 - 6.6 mm 6.73 mm

宽度 - 2.4 mm 6.22 mm

高度 - 6.9 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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