BC858BLT1G和BC858BMTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858BLT1G BC858BMTF BC859BLT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC858BLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 100 hFEPNP 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 150 MHz -

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

针脚数 3 - -

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 225 mW 0.31 W -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 310 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 100 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 310 mW 300 mW

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 0.94 mm 0.93 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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