IRFL4105和IRFL4105TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFL4105 IRFL4105TR PHT11N06LT,135

描述 SOT-223 N-CH 55V 5.2ASOT-223 N-CH 55V 5.2ASC-73 N-CH 55V 10.7A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 - 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 1W (Ta) 1W (Ta) 1.8 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 5.2A 3.70 A 10.7A

上升时间 12 ns 12 ns 65 ns

输入电容(Ciss) 660pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 12 ns 70 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

额定功率(Max) - - 8.3 W

额定电压(DC) - 55.0 V -

额定电流 - 3.70 A -

产品系列 - IRFL4105 -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

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