对比图
型号 FQT13N06LTF STN3NF06L FQT13N06TF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT13N06LTF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 2.5 VSTMICROELECTRONICS STN3NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 VON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT13N06TF, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 4 4
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -
额定电流 2.80 A 4.00 A -
额定功率 - 3.3 W -
通道数 1 1 -
针脚数 3 4 3
漏源极电阻 0.088 Ω 0.07 Ω 0.11 Ω
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 2.1 W 3.3 W 2.1 W
阈值电压 2.5 V 2.8 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V -
连续漏极电流(Ids) 2.80 A 4.00 A -
上升时间 90 ns 25 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds) 240pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.1 W 3.3 W 2.1 W
下降时间 40 ns 10 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.1W (Tc) 3.3W (Tc) 2.1 W
长度 6.5 mm 6.5 mm 6.5 mm
宽度 3.56 mm 3.5 mm 3.56 mm
高度 1.6 mm 1.8 mm 1.6 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -