BCR196和BCW32LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR196 BCW32LT1G BCR148W

描述 PNP硅数字晶体管(开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路) PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)ON SEMICONDUCTOR  BCW32LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 225 mW, 100 mA, 200 hFEBCR148W 带阻NPN三极管 50V 70mA 47k 47k SOT-323/SC-70 marking/标记 WE 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-323

额定电压(DC) - 32.0 V -

额定电流 - 100 mA -

针脚数 - 3 -

极性 PNP NPN NPN

耗散功率 - 225 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 32 V 50 V

集电极最大允许电流 70mA 0.1A 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 225 mW -

直流电流增益(hFE) - 200 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -50 ℃ -

耗散功率(Max) - 225 mW -

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1.11 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-323

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 End of Life Active End of Life

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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