对比图
型号 2N7371 JANTXV2N7371 JAN2N7371
描述 PNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTORPNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTORPNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-254 TO-254-3 TO-254
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 - 100 W 100 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
集电极最大允许电流 12A 12A 12A
工作温度(Max) 175 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 100000 mW 100000 mW 100000 mW
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @6A, 3V -
额定功率(Max) - 100 W -
封装 TO-254 TO-254-3 TO-254
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead -
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -