对比图
型号 STB140NF55T4 STB85NF55LT4 IPB80N06S2L-H5
描述 STMICROELECTRONICS STB140NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VN沟道55 V ， 0.0060 Ω ， 80 A ， TO- 220 ， D2PAK的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 55 V, 0.0060 Ω, 80 A, TO-220, D2PAK STripFET™ II Power MOSFETInfineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -
额定电流 80.0 A 80.0 A -
通道数 1 1 -
漏源极电阻 0.0065 Ω 8.00 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 300 W 300W (Tc) 300 W
输入电容 - 3.70 nF -
栅电荷 - 150 nC -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55.0 V 55.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±15.0 V -
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80A
输入电容(Ciss) 5300pF @25V(Vds) 4050pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 300 W -
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
针脚数 3 - -
阈值电压 3 V - -
上升时间 150 ns - 23 ns
下降时间 45 ns - 22 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
宽度 9.35 mm 9.35 mm 9.25 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.4 mm - 10 mm
高度 4.6 mm - 4.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -