对比图
型号 STI32N65M5 STP32N65M5 STP34N65M5
描述 N沟道650 V， 0.095 I© ， 24 A， MDmeshâ ?? ¢在D²PAK ， I²PAK V功率MOSFET ， TO- 220FP ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V Power MOSFET in D²PAK, I²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247STMICROELECTRONICS STP32N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.095 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
通道数 1 - -
漏源极电阻 119 mΩ 0.095 Ω -
耗散功率 150 W 150 W 190 W
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
漏源击穿电压 650 V - -
上升时间 12 ns 12 ns -
输入电容(Ciss) 3320pF @100V(Vds) 3320pF @100V(Vds) 2700pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 150 W 190 W
下降时间 16 ns 16 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 190W (Tc)
针脚数 - 3 -
极性 - N-Channel N-CH
阈值电压 - 4 V -
连续漏极电流(Ids) - 24A 28A
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 4.6 mm
高度 - - 15.75 mm
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -