对比图
型号 IXFE39N90 IXFN27N80Q STE26NA90
描述 ISOPLUS N-CH 900V 34AIXYS SEMICONDUCTOR IXFN27N80Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 27 A, 800 V, 320 mohm, 10 V, 4.5 VN - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP快速功率MOSFET N - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP FAST POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Screw
封装 ISOPLUS-227-4 SOT-227-4 ISOTOP
引脚数 - 4 -
额定电压(DC) - - 900 V
额定电流 - - 26.0 A
耗散功率 580 W 520 W 450W (Tc)
漏源极电压(Vds) 900 V 800 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 34A 27.0 A 26.0 A
上升时间 68 ns 28 ns 52.0 ns
输入电容(Ciss) 13400pF @25V(Vds) 7600pF @25V(Vds) 1770pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 580W (Tc) 520W (Tc) 450W (Tc)
通道数 1 - -
漏源极电阻 220 mΩ 0.32 Ω -
极性 N-CH N-Channel -
漏源击穿电压 900 V - -
下降时间 30 ns 13 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 40 ℃ -55 ℃ -
针脚数 - 4 -
阈值电压 - 4.5 V -
隔离电压 - 2.50 kV -
额定功率(Max) - 520 W -
封装 ISOPLUS-227-4 SOT-227-4 ISOTOP
长度 38.23 mm 38.2 mm -
宽度 25.42 mm 25.07 mm -
高度 9.65 mm 9.6 mm -
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
重量 - 40.0 g -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -