VNB10N0713TR和VNB10N07TR-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VNB10N0713TR VNB10N07TR-E VNB10N07

描述 MOSFET OMNI N-CH 70V 10A D2PAK70V,100mΩ通态电阻,低边驱动器? OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 开关电源FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

输出接口数 1 1 1

输出电流 7 A 120 A -

供电电流 - 0.25 mA -

耗散功率 50000 mW 50 W 50.0 W

输入电压(Max) - 18 V -

输出电流(Max) 7 A 7 A 7 A

输出电流(Min) - 7 A -

输入数 - 1 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 50000 mW -

输入电压 - 18 V -

漏源极电阻 - - 140 mΩ

漏源击穿电压 - - 10.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 10.0 A

高度 - 4.6 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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