对比图
型号 IRFP450PBF STW15NK50Z STW14NK50Z
描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STW15NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 500 V, 0.3 ohm, 30 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STW14NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.34 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 14.0 A 14.0 A 14.0 A
额定功率 190 W - 150 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.4 Ω 0.3 Ω 0.34 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 190 W 160 W 150 W
阈值电压 4 V 3.75 V 3.75 V
输入电容 2.60 nF - 2000 pF
栅电荷 150 nC - -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14.0 A 14.0 A
上升时间 47 ns 23 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 2260pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 190 W 160 W 150 W
下降时间 44 ns 15 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 190 W 160W (Tc) 150W (Tc)
通道数 - 1 -
长度 15.87 mm 15.75 mm 15.75 mm
宽度 5.31 mm 5.15 mm 5.15 mm
高度 20.7 mm 20.15 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR