BAS70-07S和BC856S,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS70-07S BC856S,115 BAS70-07S,115

描述 NXP  BAS70-07S  小信号肖特基二极管, 双隔离, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °CNXP  BC856S,115  双极晶体管阵列, 双PNP, -65 V, 220 mW, -100 mA, 110 hFE, SOT-363NXP  BAS70-07S,115  小信号肖特基二极管, 双隔离, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 肖特基二极管双极性晶体管二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363 TSSOP-6 SOT-363

针脚数 6 6 6

正向电压 410 mV - 1V @15mA

正向电流 70 mA - 70 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 100 mA - 100 mA

正向电压(Max) 1 V - 1 V

正向电流(Max) - - 70 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

工作结温 - - 150℃ (Max)

频率 - 100 MHz -

极性 - PNP -

耗散功率 - 220 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 65 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 110 @2mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) - 110 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 300 mW -

直流电流增益(hFE) - 110 -

耗散功率(Max) - 400 mW -

长度 - - 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm 1.35 mm

高度 - - 1 mm

封装 SOT-363 TSSOP-6 SOT-363

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - ECL99 -

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