对比图
型号 CY7C12501KV18-400BZC CY7C12501KV18-400BZXC CY7C12701KV18-400BZXC
描述 36兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165Pin FBGA TraySRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165Pin FBGA
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 - 165 -
封装 FBGA-165 FBGA-165 LBGA-165
位数 - 36 -
存取时间(Max) - 0.45 ns -
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
存取时间 0.45 ns - -
封装 FBGA-165 FBGA-165 LBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 Lead Free