CY7C12501KV18-400BZC和CY7C12501KV18-400BZXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C12501KV18-400BZC CY7C12501KV18-400BZXC CY7C12701KV18-400BZXC

描述 36兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165Pin FBGA TraySRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165Pin FBGA

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 165 -

封装 FBGA-165 FBGA-165 LBGA-165

位数 - 36 -

存取时间(Max) - 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

存取时间 0.45 ns - -

封装 FBGA-165 FBGA-165 LBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

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