BCW32和BCW32LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW32 BCW32LT1G BCW32,215

描述 NXP  BCW32  单晶体管 双极, 通用, NPN, 32 V, 250 mW, 100 mA, 330 hFEON SEMICONDUCTOR  BCW32LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 225 mW, 100 mA, 200 hFENXP  BCW32,215  单晶体管 双极, 通用, NPN, 32 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - - 100 MHz

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 250 mW 225 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 32 V 32 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 225 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) 330 200 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 225 mW 250 mW

额定电压(DC) - 32.0 V -

额定电流 - 100 mA -

工作温度(Min) -65 ℃ -50 ℃ -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 3 mm 3.04 mm -

宽度 1.4 mm 1.4 mm -

高度 1 mm 1.11 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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