NTB25P06G和NTB25P06T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTB25P06G NTB25P06T4G NTB30N06LT4G

描述 -60V,-27.5A功率MOSFETP 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor30A,60V功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 60.0 V -60.0 V 60.0 V

额定电流 27.5 A -25.0 A 30.0 A

通道数 - 1 1

漏源极电阻 65.0 mΩ 0.07 Ω 46 mΩ

极性 P-Channel P-Channel N-Channel

耗散功率 120 W 120 W 88.2 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - - 60 V

栅源击穿电压 ±15.0 V ±15.0 V ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 27.5 A 27.5 A 30.0 A

上升时间 72 ns 72 ns 200 ns

输入电容(Ciss) 1680pF @25V(Vds) 1680pF @25V(Vds) 1150pF @25V(Vds)

下降时间 190 ns 190 ns 62 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 120 W 120 W 88.2W (Tc)

针脚数 - 3 -

额定功率(Max) 120 W 120 W -

输入电容 1.68 nF - -

栅电荷 50.0 nC - -

长度 - 10.29 mm 10.29 mm

宽度 - 9.65 mm 9.65 mm

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台