对比图
型号 IXFH6N100F STP55NF06 SPP04N80C3
描述 IXYS RF IXFH6N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 6 A, 180 W, 500 kHz, TO-247ADMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 60.0 V 800 V
额定电流 - 50.0 A 4.00 A
额定功率 - 110 W 63 W
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.9 Ω 0.015 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 180 W 30 W 63 W
阈值电压 5 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 1 kV 60 V 800 V
漏源击穿电压 1000 V 60.0 V 800 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 6.00 A 50.0 A 4.00 A
上升时间 8.6 ns 50 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1770pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 110 W 63 W
下降时间 8.3 ns 15 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 180W (Tc) 110W (Tc) 63W (Tc)
长度 16.26 mm 10.4 mm 10 mm
宽度 5.3 mm 4.6 mm 4.4 mm
高度 21.46 mm 9.15 mm 15.65 mm
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17