STB13NK60Z-1和STI13NM60N

对比图

型号 STB13NK60Z-1 STI13NM60N SSI7N60BTU

描述 N沟道600V - 0.48ヘ-13A - TO- 220 / FP - D / IPAK - TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 600V-0.48ヘ-13A-TO-220/FP-D/IPAK-TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFETSTMICROELECTRONICS  STI13NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 VN沟道 600V 7A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

引脚数 3 3 -

封装 I2PAK TO-262-3 TO-262

安装方式 - Through Hole Surface Mount

极性 N-CH N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 13A 11A 7.00 A

上升时间 14 ns 8 ns -

输入电容(Ciss) 2030pF @25V(Vds) 790pF @50V(Vds) -

下降时间 12 ns 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150000 mW 90W (Tc) -

漏源极电阻 - 0.28 Ω 1.20 Ω

耗散功率 - 90 W 3.13 W

漏源击穿电压 - 600 V 600 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3 V -

额定功率(Max) - 90 W -

封装 I2PAK TO-262-3 TO-262

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 10.75 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - NLR -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -