IRFS3306PBF和IRFS7537PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS3306PBF IRFS7537PBF IRF1405ZSPBF

描述 INFINEON  IRFS3306PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 60 V, 3.3 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFS7537PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 173 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 VINFINEON  IRF1405ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 55 V, 0.0037 ohm, 10 V, 4 V 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 230 W 230 W 230 W

通道数 1 - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0033 Ω 0.00275 Ω 0.0037 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 230 mW 230 W 230 W

阈值电压 4 V 3.7 V 4 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 60 V - -

连续漏极电流(Ids) 160A 173A 75.0 A

上升时间 46 ns 105 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 4520pF @50V(Vds) 7020pF @25V(Vds) 4780pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 230 W - -

下降时间 77 ns 84 ns 82 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 230000 mW 230W (Tc) 230000 mW

产品系列 - - IRF1405ZS

长度 4.06 mm 10.67 mm 10.67 mm

宽度 9.25 mm 9.65 mm 9.65 mm

高度 14.61 mm 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

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