IDH08S60CAKSA1和SDT08S60

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDH08S60CAKSA1 SDT08S60

描述 Diode: Schottky rectifying; 600V; 8A; 59A; CoolSiC™ 2G, SiC; Ir: 1uA碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 2 -

封装 TO-220-2 TO-220-2

正向电压 1.7V @8A 1.7V @8A

反向恢复时间 0 ns 0 ns

正向电流 8000 mA -

正向电流(Max) 8000 mA -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 75000 mW -

额定电压(DC) - 600 V

额定电流 - 8.00 A

输出电流 - ≤8.00 A

极性 - Standard

热阻 - 2.3℃/W (RθJC)

正向电压(Max) - 1.7V @8A

封装 TO-220-2 TO-220-2

产品生命周期 Not Recommended for New Design Obsolete

包装方式 Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃

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