对比图
型号 FDS8870 IRF7832PBF IRF7832TRPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8870 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 2.5 VINFINEON IRF7832PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 4 mohm, 10 V, 2.32 VINFINEON IRF7832TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2.32 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - 2.5 W 2.5 W
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0042 Ω 0.004 Ω 0.0031 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 2.5 V 2.32 V 2.32 V
输入电容 4.62 nF 4310 pF 4310 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 20A 20A
上升时间 48 ns 6.7 ns 6.7 ns
正向电压(Max) - - 1 V
输入电容(Ciss) 4615pF @15V(Vds) 4310pF @15V(Vds) 4310pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W
下降时间 21 ns 13 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 155 ℃ 155 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 18.0 A - -
栅电荷 85.0 nC - -
漏源击穿电压 30.0 V 30 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
通道数 - 1 -
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 155℃ (TJ) -55℃ ~ 155℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - -