对比图
型号 IXDN75N120 IXGR50N60B STGE200NB60S
描述 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660000mW 4Pin SOT-227BTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247STMICROELECTRONICS STGE200NB60S 单晶体管, IGBT, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Chassis Through Hole Screw
引脚数 4 3 4
封装 SOT-227-4 ISOPLUS-247 SOT-227-4
耗散功率 660000 mW - 600 W
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 600 V 600 V
输入电容(Cies) 5.5nF @25V - 1.56nF @25V
额定功率(Max) 660 W 250 W 600 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 660000 mW - 600000 mW
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 150 A
额定功率 - - 600 W
针脚数 - - 4
极性 - - N-Channel
漏源极电压(Vds) - - 600 V
连续漏极电流(Ids) - - 200 A
上升时间 - - 112 ns
封装 SOT-227-4 ISOPLUS-247 SOT-227-4
长度 - - 38.2 mm
宽度 - - 25.5 mm
高度 - - 9.1 mm
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99