对比图
型号 FQA13N80 FQA13N80_F109 SPA04N80C3
描述 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFETQFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。INFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-220-3
额定电压(DC) 800 V - 800 V
额定电流 12.6 A - 4.00 A
额定功率 - - 38 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 750 mΩ 0.58 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300W (Tc) 300 W 38 W
阈值电压 - 5 V 3 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 12.6 A 12.6A 4.00 A
上升时间 - 150 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 3500pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 38 W
下降时间 - 110 ns 12 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 38W (Tc)
漏源击穿电压 800 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
长度 - 15.8 mm 10.65 mm
宽度 - 5 mm 4.85 mm
高度 - 18.9 mm 16.15 mm
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99