对比图
型号 IPI65R310CFDXKSA1 SPI15N60CFD SPI15N60CFDHKSA1
描述 Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R310CFDXKSA1, 11 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装INFINEON SPI15N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.4 A, 650 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 VTO-262 N-CH 600V 13.4A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3-1
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 104.2W (Tc) 156 W 156W (Tc)
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 11.4A 13.4 A 13.4A
上升时间 7.5 ns 24 ns 24 ns
输入电容(Ciss) 1100pF @100V(Vds) 1820pF @25V(Vds) 1820pF @25V(Vds)
下降时间 7 ns 5 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 104.2W (Tc) - 156W (Tc)
额定功率 104.2 W - -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.28 Ω -
阈值电压 - 4 V -
额定功率(Max) - 156 W -
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3-1
长度 10.2 mm 10.2 mm -
宽度 4.5 mm 4.5 mm -
高度 9.45 mm 9.45 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -