INFINEON SPI15N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.4 A, 650 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V
Features
• Intrinsic fast-recovery body diode
• Extremely low reverse recovery charge
• Ultra low gate charge
• Extreme dv/dtrated
• High peak current capability
• Qualified according to JEDEC for target applications
CoolMOS CFD designed for:
• Softswitching PWM Stages
• LCD & CRT TV
立创商城:
SPI15N60CFD
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 13.4A I2PAK-3 CoolMOS CFD
e络盟:
# INFINEON SPI15N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.4 A, 650 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 13.4A 3-Pin TO-262 Tube
针脚数 3
漏源极电阻 0.28 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 156 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 13.4 A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 1820pF @25VVds
额定功率Max 156 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPI15N60CFD Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPI65R310CFD 英飞凌 | 类似代替 | SPI15N60CFD和IPI65R310CFD的区别 |
IPI65R310CFDXKSA1 英飞凌 | 类似代替 | SPI15N60CFD和IPI65R310CFDXKSA1的区别 |
SPI15N60CFDHKSA1 英飞凌 | 功能相似 | SPI15N60CFD和SPI15N60CFDHKSA1的区别 |