对比图
型号 IRF3205ZPBF STP90N4F3 STP140NF55
描述 55V,75A,6.5mΩ,N沟道功率MOSFETN沟道40 V， 5.0毫欧， 80 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ， I2PAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFETMOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
耗散功率 170 W 110 W 300 W
漏源极电压(Vds) 55 V 40 V 55 V
上升时间 95.0 ns 60 ns 150 ns
输入电容(Ciss) 3450pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 170 W 110 W 300 W
下降时间 - 15 ns 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) 55.0 V - 55.0 V
额定电流 110 A - 80.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 6.5 mΩ - 0.008 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
阈值电压 - - 3 V
漏源击穿电压 55 V - 55 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A - 80.0 A
产品系列 IRF3205Z - -
输入电容 3450pF @25V - -
栅电荷 110 nC - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.67 mm - 10.4 mm
宽度 - - 4.6 mm
高度 9.02 mm - 15.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -