BCR103T和DTC123EM3T5G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR103T DTC123EM3T5G MUN5235T1G

描述 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorNPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。ON SEMICONDUCTOR  MUN5235T1G  晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q100, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-323 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SC-75 SOT-723-3 SC-70-3

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN N-Channel

耗散功率 - 0.6 W 0.31 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 8 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 260 mW 202 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 338 mW 310 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

最大电流放大倍数(hFE) - 8 -

封装 SC-75 SOT-723-3 SC-70-3

长度 - 1.25 mm -

宽度 - 0.8 mm -

高度 - 0.55 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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