对比图
型号 FQB8N60C FQB8N60CTM STB6NK60ZT4
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB8N60CTM, 7.5 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装STMICROELECTRONICS STB6NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 - 60.5 ns 14 ns
输入电容(Ciss) - 965pF @25V(Vds) 905pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.13 W 110 W
下降时间 - 64.5 ns 19 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.13 W 110W (Tc)
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 6.00 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 1 Ω
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 - - 110 W
阈值电压 - - 3.75 V
输入电容 - - 905 pF
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 7.5A - 6.00 A
高度 - 4.83 mm 4.6 mm
封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 10.75 mm
宽度 - - 10.4 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99