DS1225Y-200+和DS1225AD-200IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1225Y-200+ DS1225AD-200IND+ DS1225AB-200+

描述 Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AD-200IND+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AB-200+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

针脚数 - 28 28

时钟频率 - 200 GHz 200 GHz

存取时间 200 ns 200 ns 200 ns

内存容量 2000 B 8000 B 8000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.25 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.75 V

工作电压 4.5V ~ 5.5V - -

宽度 18.29 mm 18.29 mm 18.29 mm

封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28

长度 39.12 mm - 39.37 mm

高度 9.4 mm - 10.67 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

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