CY7C1021BN-12VXI和CY7C1021D-10VXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1021BN-12VXI CY7C1021D-10VXI GVT7264A16J-12I

描述 1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit (64K x 16) Static RAMCYPRESS SEMICONDUCTOR  CY7C1021D-10VXI  芯片, 存储器, SRAM, 1MB, 并行口, 10NS, 44SOJStandard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 BSOJ-44 SOJ-44 -

引脚数 - 44 -

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 12.0 GHz - -

存取时间 12.0 ns 10 ns -

内存容量 1000000 B 125000 B -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V -

供电电流 - 80 mA -

针脚数 - 44 -

位数 - 16 -

存取时间(Max) - 10 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

封装 BSOJ-44 SOJ-44 -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tube, Bulk Each -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - 3A991.b.2.b -

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