PHT4NQ10T,135和ZXMN10A11G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHT4NQ10T,135 ZXMN10A11G PHT4NQ10T

描述 NXP  PHT4NQ10T,135  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 VDIODES INC.  ZXMN10A11G  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 600 mohm, 10 V, 4 VN 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 SOT-223 SOT-223

通道数 1 - -

针脚数 4 3 4

漏源极电阻 0.2 Ω 600 mΩ 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 6.9 W 3.9 W 6.9 W

阈值电压 3 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 3.50 A 2.4A -

上升时间 13 ns - -

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) - 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 6.9 W - -

下降时间 11 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 6.9W (Tc) - 6900 mW

工作温度(Min) - - -65 ℃

宽度 3.7 mm - 3.7 mm

封装 TO-261-4 SOT-223 SOT-223

长度 - - 6.7 mm

高度 - - 1.7 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

军工级 - Yes -

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