对比图
型号 SSN1N45BBU SSN1N45BTA
描述 N沟道 450V 500mAFAIRCHILD SEMICONDUCTOR SSN1N45BTA 晶体管, MOSFET, B-FET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.4 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
引脚数 - 3
封装 TO-92-3 TO-92-3
安装方式 Through Hole Through Hole
针脚数 - 3
漏源极电阻 4.25 Ω 3.4 Ω
耗散功率 900 mW 900 mW
阈值电压 - 3 V
漏源极电压(Vds) 450 V 450 V
上升时间 21 ns 21 ns
输入电容(Ciss) 240pF @25V(Vds) 240pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 900 mW
下降时间 21 ns 36 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 900mW (Ta) 900mW (Ta)
额定电压(DC) 450 V 450 V
额定电流 500 mA 500 mA
极性 N-Channel N-Channel
漏源击穿电压 450 V 450 V
栅源击穿电压 ±50.0 V ±50.0 V
连续漏极电流(Ids) 500 mA 500 mA
封装 TO-92-3 TO-92-3
长度 5.2 mm -
宽度 4.19 mm -
高度 5.33 mm 5.33 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Bulk Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 EAR99