对比图
型号 STP20NM50 STP20NM50FD FDP20N50
描述 STMICROELECTRONICS STP20NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 VN沟道500V - 0.22W - 20A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-CHANNEL 500V - 0.22W - 20A TO-220/TO-220FP/D2PAK FDmesh⑩ Power MOSFET (with FAST DIODE)FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP20N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 20.0 A 20.0 A -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.25 Ω 250 mΩ 230 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 192 W 192 W 250 W
阈值电压 4 V 4 V 5 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A 20.0 A
上升时间 16 ns 20 ns 375 ns
输入电容(Ciss) 1480pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds) 3120pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 192 W 192 W 250 W
下降时间 8.5 ns 15 ns 105 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 192W (Tc) 192W (Tc) 250W (Tc)
通道数 - 1 1
输入电容 - 1380 pF -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.1 mm
宽度 - 4.6 mm 4.7 mm
高度 - 9.15 mm 9.4 mm
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99