对比图
描述 30V N 通道 MOSFETN沟道MOSFET PowerTrench㈢ 30 V ， 21 A， 8.5米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30 V, 21 A, 8.5 mヘ
数据手册 --
制造商 TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 VSON-FET-8 Power-56-8
通道数 1 -
针脚数 8 -
漏源极电阻 0.0055 Ω -
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 2.6 W 2.5 W
阈值电压 1.5 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 74A 13.5A
上升时间 7.4 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 2050pF @15V(Vds) 1585pF @15V(Vds)
下降时间 3.4 ns 4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.6W (Ta) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
额定功率(Max) - 2.5 W
长度 3.25 mm -
宽度 3.1 mm -
高度 0.9 mm -
封装 VSON-FET-8 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - -
产品生命周期 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 -